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    國星光電旗下實(shí)驗室成功研制行業(yè)最高發(fā)光效率的量子點(diǎn)LED器件

    欄目:行業(yè)新聞 發(fā)布時(shí)間:2021-04-30
    國星光電今日宣布,他們聯(lián)合華南理工大學(xué)聯(lián)合建立的廣東省半導體微顯示企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗室的最新研究成果發(fā)表在國際著(zhù)名期刊《ACS Nano》。

    4 月21日消息 國星光電今日宣布,他們聯(lián)合華南理工大學(xué)聯(lián)合建立的廣東省半導體微顯示企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗室的最新研究成果發(fā)表在國際著(zhù)名期刊《ACS Nano》。
     
    據介紹,該成果最終成功突破了量子點(diǎn)LED器件的發(fā)光效率瓶頸,刷新了同類(lèi)器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀錄,有望加快該新技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程,并鞏固國星光電在Mini/Micro LED顯示器件領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢地位。

                                                 

    據稱(chēng),目前常用的硒化鎘、鈣鈦礦等量子點(diǎn)的光致發(fā)光效率已超過(guò)85%,高于傳統稀土熒光粉材料,然而封裝制成LED器件的發(fā)光效率普遍在50-130 lm/W(理論效率>200 lm/W),這一矛盾已困擾學(xué)界與行業(yè)多年。
     
    因此, 國星光電提出直方通 孔復合量子點(diǎn)色轉換結構及其強化出光機制,利用濕法機械攪拌把量子點(diǎn)高效組裝于粒徑匹配的直方通孔結構,通孔結構被低折射率硅樹(shù)脂填充,所形成折射率差異可抑制熒光光子在通孔內部硅樹(shù)脂基材的傳播,顯著(zhù)減少重吸收損耗。
     
    得益于此,他們最終成功突破了量子點(diǎn)LED器件的發(fā)光效率瓶頸,獲得超過(guò)200 lm/W的同類(lèi)器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀錄(經(jīng)CNAS認證第三方機構檢測)。
     
    據了解,量子點(diǎn)色轉換技術(shù)是Mini/Micro LED、OLED以及LCD寬色域顯示的共性關(guān)鍵技術(shù),在超清顯示、虛擬顯示等新興領(lǐng)域極具應用潛力。

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